|
Grænseflade
|
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
|
|
Formfaktor
|
M.2 (2280)
|
|
Dimension (WxHxD)
|
Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mm
|
|
Lagerhukommelse
|
Samsung V-NAND TLC
|
|
Cache-hukommelse
|
HMB(Host Memory Buffer)
|
|
TRIM understøttelse
|
Supported
|
|
S.M.A.R.T Support
|
Supported
|
|
GC (Garbage Collection)
|
Auto Garbage Collection Algorithm
|
|
Encryption Support
|
AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
|
|
Sekventiel læsning
|
Up to 7,250 MB/s
|
|
Sekventiel skrivning
|
Up to 6,300 MB/s
|
|
Random Read (4KB, QD32)
|
Up to 1,000,000 IOPS
|
|
Random Write (4KB, QD32)
|
Up to 1,350,000 IOPS
|
|
Average Power Consumption (system level)
|
Average: Read 4.6 W / Write 4.2 W
|
|
Power consumption (Idle)
|
Typical 60 mW
|
|
Tilladt spænding
|
3.3 V ± 5 %
|
|
Pålidelighed (MTBF)
|
1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
|
|
Garanti
|
5-year Limited Warranty or 1200 TBW Limited Warranty
|
Vores vareudlevering på Høgemosevænget 1, 8380 Trige har åbent for afhentning mandag-fredag kl. 9-18.
Samsung SSD 990 EVO Plus SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280
Samsung SSD 990 EVO Plus SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280 - Op til 7,250 MB/s
DKK 2 399,00
DKK 1 919,20 ekskl. moms
DKK 2 399,00
DKK 1 919,20 ekskl. moms
Samsung 990 EVO Plus er et kraftfuldt internt solid state-drev, der er designet til at forbedre lagringsydelsen med en kapacitet på 2 TB. Med Samsung V-NAND TLC-teknologi sikrer dette drev højhastighedsdataoverførsel med en intern datahastighed på 7250 MBps og en skrivehastighed på 6300 MBps, hvilket muliggør problemfri drift til krævende applikationer og håndtering af store filer. Med understøttelse af PCI Express 4.0- og 5.0-grænseflader opfylder den forskellige systemkrav, samtidig med at den er hurtig og pålidelig.
Varenummer:
1002521234
Model:
MZ-V9S2T0BW
EAN:
8806095575650
Producent:
Vægt:
0.07 kg
Specifikationer
Udv. specifikationer
|
Generelt
|
|
|---|---|
|
Bredde
|
22.15 mm
|
|
Dybde
|
80.15 mm
|
|
Egenskaber
|
TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep support, Host Memory Buffer (HMB), Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T., IEEE 1667
|
|
Enhedstype
|
Solid state-drev - intern
|
|
Grænseflade
|
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
|
|
Hardware kryptering
|
Ja
|
|
Højde
|
2.38 mm
|
|
Kapacitet
|
2 TB
|
|
Krypterings algoritme
|
256-bit AES
|
|
Model
|
M.2 2280
|
|
NAND Flashhukommelses-type
|
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
|
|
Vægt
|
9 g
|
|
Præstation
|
|
|
Intern datahastighed
|
7250 MBps (læs) / 6300 MBps (skriv)
|
|
Maksimal 4 KB tilfældig læsning
|
1000000 IOPS
|
|
Maximum 4KB Random Write
|
1350000 IOPS
|
|
Driftssikkerhed
|
|
|
MTBF (forventet tid mellem fejl)
|
1.500.000 timer
|
|
Ekspansion og forbindelse
|
|
|
Kompatibel bås
|
M.2 2280
|
|
Effekt
|
|
|
Strømforbrug
|
4.6 watt (læs) | 4.2 watt (skriv) | 60 mW (standby) | 5 mW (sov)
|
|
Programmer & Systemkrav
|
|
|
Med software
|
Samsung Magician Software
|
|
Diverse
|
|
|
Pakningsmateriale
|
Nikkelbelægning
|
|
Producentgaranti
|
|
|
Service & Support
|
Begrænset garanti - 5 år/1200 TBW
|
|
Miljømæssige parametre
|
|
|
Maks. driftstemperatur
|
70 °C
|
|
Min. driftstemperatur
|
0 °C
|
|
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ)
|
1500 g @ 0,5 ms
|
|
Vibration tolerance (non-operativ)
|
20 g @ 20-2000 Hz
|
Features
Effektiv dataoverførsel
Med interne datahastigheder på op til 7250 MBps kan data overføres hurtigt, hvilket giver hurtigere opstartstider og hurtigere indlæsning af programmer.
Høj holdbarhed
Med en stødmodstand på op til 1500 g og en vibrationstolerance er dette drev robust nok til at modstå fysisk stress og sikre pålidelig drift i forskellige miljøer.
Avanceret styring af ydeevne
Understøtter TRIM, Auto Garbage Collection og Device Sleep for at optimere ydeevnen og forlænge drevets levetid, hvilket gør det velegnet til både daglig brug og krævende applikationer.
Forbedrede sikkerhedsfunktioner
Drevet er udstyret med 256-bit AES-hardwarekryptering og TCG Opal Encryption 2.0 og giver robuste sikkerhedsforanstaltninger for at beskytte følsomme data mod uautoriseret adgang.